课题组在宽禁带半导体专家郝跃院士领导下，近年来在GaN、SiC宽禁带半导体材料生长设备研制、氮化物及其异质结材料外延生长、器件工艺、器件结构优化和研制等方面开展了大量研究工作。西电基于自主MOCVD设备在2003年初研制出国内第一片SiC衬底AlGaNGaN异质结材料和HEMT射频功率器件。西电研制的AlGaN/GaN异质结材料室温2DEG迁移率和面密度乘积高达2.45×1016/Vs（对应方块电阻255Ω/□），保持着国内最高水平。沿着基于自主研发设备－>基于自主研发设备生长高质量的异质结材料－>基于生长的材料完成器件设计和工艺流片－>完成器件的射频测试、封装等后道工艺这条研究主线，西电独立承担了国家重大专项中GaN功率器件的研制，目前连续波功率最高达到60W@6GHz。对于高效率的新的器件结构，西安电子科技大学也在绝缘栅MIS结构、薄势垒凹槽结构的研究上取得了显著的成绩，目前的绝缘栅GaN HEMT器件的输出功率达到10W/mm@4GHz，PAE大于60％，达到国际先进水平。在GaN射频功率器件研制方面，先后获得国家技术发明二等奖1项，省部级一等奖2项，二等奖2项，目前授权国家发明专利30多项，受理国家发明专利50多项。迄今在III族氮化物材料和器件研究方面发表学术论文300余篇，SCI索引近200余篇，授权国家发明专利64项，软件著作权4项，于2009年和2015年分别获国家技术发明奖二等奖，2011年和2014年分别获陕西省科学进步一等奖。