一种P沟VDMOS器件的研究与实现

doi:10.3969/j.issn.1001-2400.2013.06.010

J4 ›› 2013, Vol. 40 ›› Issue (6): 58-61.doi: 10.3969/j.issn.1001-2400.2013.06.010

一种P沟VDMOS器件的研究与实现

蒲石;郝跃

(西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室，陕西西安 710071)

收稿日期:2012-08-02 出版日期:2013-12-20 发布日期:2014-01-10
通讯作者: 蒲石
作者简介:蒲石(1981-)，男，西安电子科技大学博士研究生，E-mail: victor.pu1981@gmail.com．
基金资助:
国家重大科技专项资助项目(2008ZX01002-002)；国家自然科学基金资助项目(61106106)；中央高校基本科研业务费专项基金资助项目(K50511250008,K5051325002)

Development and realization of P-channel VDMOS

PU Shi;HAO Yue

(Ministry of Education Key Lab. of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, Xidian Univ., Xi'an 710071， China)

Received:2012-08-02 Online:2013-12-20 Published:2014-01-10
Contact: PU Shi

摘要/Abstract

摘要：

分析了P沟VDMOS器件结构中外延层参数与击穿电压、导通电阻之间的关系．采用Silvaco对该器件的元胞结构、物理参数和电学性能进行了模拟和优化，并设计了针对该器件的终端结构．完全依靠国内生产线流程成功开发出了P沟VDMOS制造工艺，并据此研制出了耐压值80V、输出电流14A的P沟VDMOS．测试了其静态和动态参数，均达到了设计要求．

关键词: P沟VDMOS, 外延层优化, 结终端技术

Abstract:

The relationship among the breakdown voltage, the epitaxial layer parameter and the on-state resistance of P-channel VDMOS has been analyzed. By using Silvaco, the structure, physical parameters and electrical properties of the P-channel VDMOS cell are simulated and optimized. Also, a terminal structure has been designed for this device. An 80V/14A P-channel power VDMOS has been successfully designed and manufactured totally based on the process of domestic fab, with both of its static and dynamic characteristics reaching the design criterion during the tests.

Key words: P-channel VDMOS, optimized epitaxial layer, junction termination technique

中图分类号:

TN432

蒲石;郝跃. 一种P沟VDMOS器件的研究与实现[J]. J4, 2013, 40(6): 58-61.

PU Shi;HAO Yue. Development and realization of P-channel VDMOS[J]. J4, 2013, 40(6): 58-61.

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一种P沟VDMOS器件的研究与实现

Development and realization of P-channel VDMOS

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